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一板成功 | 案例解析2:LDO输出线性电容ESR配置不当致电源输出振荡

发布时间:2025年10月19日 12:18

在开始今天的范例解析在此之前,我们先了解下LDO的等价连续性。

针对LDO应用于,建议了解计算出来机管理系统的等价构造,包含NPN型式、PNP型式、PMOS型式、NMOS型式等,因为其等价与LDO给定、应用于场合是强特别的。

例如PMOS型式LDO适合应用于于较高重定向、驱动二极管的场景,因为PMOS型式LDO重定向却是为乃是却是S,增加重定向与误差元件之间的压差V GS ,有助于减小PMOS管的乃是却是与漏却是间的等效导通电感R dson ,做到较低的管阻抗,从而实质性降低热力损耗、提升效率,左图1 为PMOS型式LDO对管理系统框左图。

另外,应用于进一步提高PMOS型式LDO,若重定向二极管过低,可能无法满足MOS进入饱和区的条件。

左图1 PMOS型式LDO的对管理系统

LDO给定之中,效率、精度、阻抗、静态电流、电乃是依赖性比等给定,在其设计之中必须一再重点关注,同样适用于指导工作短路查处。另外,稳定性数据分析和热力其设计也是LDO导电其设计应用于之中需加注意的弊端,下面的范例就是有关LDO稳定性数据分析的范例。

一、新项目背景及短路描述

本范例核心导电为PMOS型式LDO,电乃是计算出来机管理系统及其外围归一化导电如左图2所示, R 1 、 R 2 为对管理系统电感,另装配取样钽导电 C T ,去耦瓷器导电 C 。

左图2 PMOS型式LDO导电框左图

单单应用于之中,应用于相同导电容值C 的瓷器导电代替钽导电C T 要用旁路取样导电,辨认出LDO驱动二极管时有发生耦合。

二、短路查处及原理数据分析

LDO应用于,因驱动导电装配不应导致管理系统不稳定是LDO的常见短路。对LDO导电计算出来机管理系统创设差分静态式,并进行频域数据分析。管理系统静态式如左图3所示。

左图3 PMOS型式LDO导电管理系统静态式

其之中,

R dson 为LDO之中PMOS回路管的乃是却是和漏级间等效导通电感。

V gs 为栅却是与乃是却是间的二极管 。

I= g m * V gs 为等效小信号静态式后,通过PMOS乃是却是与漏却是的电流。

g a 为误差元件的增益。

R par 和C par 为误差元件驱动后端装配的电感和导电,起着是对误差元件驱动取样,从伺服差分的角度看,是为管理系统装配了一个的点。

以上给定一般是LDO中央处理器内部的导电给定。另外,在中央处理器直接装配包含:

R 1 和 R 2 为对管理系统线圈的组分电感。

R ESR 为取样导电的等效串联阻抗。

C T 为取样钽导电容值。

C 为取样的瓷片导电。

计算出来导电的驱动阻抗,其之中 R dson 远多于 R 1 +R 2 ,旁路瓷器导电 C 远多于钽导电 C T ,整理赢取:

则在管理系统的开环差分之中,其的点、瞬时如下:

的点

的点

瞬时

另外管理系统还都有误差元件驱动的点:

的点

根据管理系统回路差分的零、的点绘制管理系统的托马斯左图,如左图4 所示。

左图4 PMOS型式LDO的托马斯左图

平庸PMOS型式LDO归一化外围导电后的托马斯左图幅值连续性椭圆和自适应连续性椭圆为左图之中实线所示,其之中幅值连续性椭圆穿越“0轴”时,所对应的自适应与-180°的最小值,是该差分的自适应裕度,表征管理系统的稳定性。

在时有发生LDO驱动耦合的导电之中,用于旁路的钽导电被更换为容值相同的瓷器导电,大大降低了导电的等效串联阻抗 R ESR ,必要导致开环差分的瞬时 Z 0 朝高频方向移动,其幅值连续性椭圆穿越频率处的自适应裕度减小,管理系统处于不稳定状态。

三、解决方案

一般情况下,LDO含ESR装配需求量时,都会在概要之中如无装配导电ESR的稳定性(stable)之内,必须按照概要执行导电其设计,义务LDO驱动的稳定性。

另外差分的稳定性一方面和LDO的等价特别,例如NMOS型式的LDO,其 健壮性不依赖于直接装配导电给定;另一方面和LDO其设计特别,为了义务其稳定性 ,多在中央处理器内部装配瞬时。

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